產(chǎn)品中心
Product Center
熱門(mén)搜索：
美國(guó)EDAX能譜儀
EP6美國(guó) Cascade Microtech EP6探針臺(tái)
TEM氮化硅薄膜窗口
NTEGRAPrima俄羅斯產(chǎn)全功能掃描探針原子力顯微鏡
主動(dòng)隔振臺(tái)ARISTT
Zeta-20三維光學(xué)輪廓儀
石英/硅/聚合物模板高分辨率納米壓印模板（Mold for nanoimprint lithography）
PLD/Laser-MBE脈沖激光沉積/分子束外延聯(lián)用系統(tǒng)
iNano高精度臺(tái)式納米壓痕儀
納米團(tuán)簇束流沉積系統(tǒng)
P7晶圓探針式輪廓儀/臺(tái)階儀
P170全自動(dòng)晶圓探針式輪廓儀/臺(tái)階儀
Solver P47俄羅斯產(chǎn)高性?xún)r(jià)比掃描探針顯微鏡原子力
Profilm 3D經(jīng)濟(jì)三維光學(xué)輪廓儀 可測(cè)樣
Lumina光學(xué)表面缺陷分析儀
ET4000日本Kosaka輪廓儀（臺(tái)階儀）
當(dāng)前位置：首頁(yè)
產(chǎn)品中心光刻機(jī)VIL1000激光干涉光刻機(jī)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
VIL1000激光干涉光刻機(jī) VIL系列納米圖形系統(tǒng)（激光干涉光刻機(jī)）具有快速可重構(gòu)光束傳輸、主動(dòng)圖形穩(wěn)定和精確樣品定位等強(qiáng)大功能。該系統(tǒng)可以通過(guò)使用標(biāo)準(zhǔn)2cm×2cm正方形或用戶(hù)定義形狀的圖案場(chǎng)進(jìn)行重復(fù)曝光，在8英寸大面積上產(chǎn)生各種納米結(jié)構(gòu)，例如1D光柵線(xiàn)和2D柱/孔圖案，周期從240 nm到1500 nm。
| 品牌 | 其他品牌 |
|---|
VIL1000激光干涉光刻機(jī)
VIL1000激光干涉光刻機(jī)
1、 可實(shí)現(xiàn)同一晶圓上不同納米結(jié)構(gòu)的分區(qū)光刻；
2、 制作各種一維、二維納米圖案；
3、 最小線(xiàn)寬低于50nm；
4、 與其他同類(lèi)設(shè)備的功能對(duì)比圖如下：
電子束直寫(xiě) | 激光直寫(xiě) | 紫外光刻機(jī) | 激光干涉光刻機(jī) | |
設(shè)備示例 |  |
|  |  |
代表廠商 | 德國(guó)的Raith和Vistec, 日本的JEOL和Elionix | 海德堡和Raith | Eulitha | InterLitho |
代表性產(chǎn)品型號(hào) | Raith EBPG Plus | 海德堡 DWL 66+ | Eulitha PhableR 100 | VIL1000 |
主要用途 | 高分辨率掩模版制造和納米結(jié)構(gòu)的制備 | 對(duì)分辨率要求不高的掩模版制造和納米結(jié)構(gòu)制備 | 分辨率適中的納米結(jié)構(gòu)制備 | 大面積、低成本、高通量制備高分辨率周期性納米結(jié)構(gòu)，用于微納光學(xué)、生物芯片等新興應(yīng)用 |
刻寫(xiě)的最小物理線(xiàn)寬 | <10nm | ~300nm | 60nm | 40nm |
價(jià)格和維護(hù)成本 | 高 | 中 | 中 | 較低 |
自動(dòng)化程度 | 全自動(dòng) | 全自動(dòng) | 部分手動(dòng) | 全自動(dòng) |
設(shè)備效率 | 低 | 低 | 高 | 高 |
需要掩模 | 否 | 否 | 是 | 否 |
特征尺寸調(diào)制難度 | 難，樣品需要重新刻寫(xiě) | 難，樣品需要重新刻寫(xiě) | 難，需要重新刻寫(xiě)模板 | 容易，幾分鐘可實(shí)現(xiàn) |
上一個(gè)：
返回列表
